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TS150-HP & TS200-HP
產品概要:
MPI TS150-HP和TS200-HP探針系統提供了完(wan)整的(de)150mm和200mm晶圓上(shang)解決方(fang)案,可在較寬的(de)溫度范(fan)圍(wei)內實現(xian)功率半導(dao)體的(de)低接(jie)觸電阻測量。
基本信息:
空氣軸承
MPI獨特(te)的氣墊載(zai)物臺設計,具有MPI獨特(te)簡(jian)單(dan)的單(dan)手快速移動控制,為快速的XY導航和晶圓裝(zhuang)載(zai)提供(gong)了(le)很強的操作便利性(xing),同(tong)時又(you)具有額(e)外(wai)精密的25x25mm的XY-Theta千分(fen)尺(chi)機芯,提供(gong)更精準的定位能(neng)力。
卡盤系統
MPI提(ti)(ti)供(gong)(gong)高達(da)10KV同軸、600A的卡盤選件,電磁屏蔽和工作臺(tai)電弧屏蔽ArcShieldS設(she)計為提(ti)(ti)高電壓(ya)量測(ce)提(ti)(ti)供(gong)(gong)安(an)全防護。
高電壓/大電流/超大功率探頭
MPI高(gao)(gao)(gao)功率(lv)探(tan)測(ce)(ce)解(jie)決方案包括專用(yong)的(de)高(gao)(gao)(gao)壓(ya)、大電(dian)流和(he)超大功率(lv)探(tan)頭(tou)。MPI的(de)高(gao)(gao)(gao)壓(ya)探(tan)頭(tou)能(neng)高(gao)(gao)(gao)壓(ya)測(ce)(ce)試期(qi)間(jian)進(jin)行低(di)泄漏電(dian)流測(ce)(ce)量,測(ce)(ce)試高(gao)(gao)(gao)達3kV的(de)三軸或(huo)5 kV和(he)10kV的(de)同軸設置。HCP使用(yong)MPI專有的(de)多觸(chu)點尖(jian)端來降低(di)接觸(chu)電(dian)阻,以進(jin)行高(gao)(gao)(gao)達600A的(de)超高(gao)(gao)(gao)電(dian)流測(ce)(ce)量。UHP探(tan)頭(tou)兼具(ju)這兩種功能(neng),并且(qie)無需為高(gao)(gao)(gao)壓(ya)和(he)高(gao)(gao)(gao)電(dian)流應用(yong)更換探(tan)頭(tou)。
屏蔽系統
標準的手動高功(gong)率探頭系統(tong)配置有暗箱或紅(hong)外(wai)激光(guang)(guang)光(guang)(guang)幕,可以提供(gong)用(yong)于安全和EMI屏蔽功(gong)能(neng)(neng)的互(hu)鎖,且能(neng)(neng)夠確保低噪聲、準確和安全的測量。
儀器集成
TS150-HP / TS200-HP可以配(pei)置各種儀器連(lian)接(jie)套件(jian),其(qi)中包括(kuo)必要(yao)的高壓/大電(dian)(dian)流探頭和(he)電(dian)(dian)纜附件(jian),以便連(lian)接(jie)至測試(shi)儀器,例如(ru)Keysight B1505(3kV或10kV)或Keithley 2600-PCT-XB,包括(kuo)集成的8020大功(gong)率接(jie)口面板。
技術優勢:
1、單機多應用設計
2、通(tong)用(yong)于高功率器件(jian)量測和晶(jing)圓(yuan)級測試應(ying)用(yong),如組(zu)件(jian)特(te)性描述和建模,晶(jing)圓(yuan)級可(ke)靠(kao)性(WLR)、失效(xiao)分析 (FA)、集成電(dian)路工(gong)程、微型機(ji)電(dian)系統 (MEMS)工(gong)效(xiao)學與安全設計
3、方便單手(shou)操(cao)作的快速釋放(fang)拖移氣(qi)浮(fu)載物臺設計
4、堅(jian)固且可乘載多達 10 支(zhi)(zhi)高電(dian)壓(ya) HV 或 4 支(zhi)(zhi)大電(dian)流HC 微定位器的(de)工作臺
5、電磁屏蔽(bi)箱和工作臺電弧屏蔽(bi) ArcShieldTM設計,為高(gao)電壓量(liang)測提供安(an)全防護
6、支持(chi)較寬的(de)溫(wen)度范圍:20℃至300℃
應用方向:
MPI大功率(lv)器件表征系統是(shi)專門為晶(jing)圓(yuan)上大功率(lv)器件測(ce)試(shi)而設計的。